ZnO是一种直接带隙的半导体发光材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能为60meV。金属元素Bi具有非常丰富的电子壳层结构,能有效地调节ZnO纳米结构的表面状态,进而达到调控其性能及应用的目的。本文主要结果如下:(1)以BiI3粉、Zn粉为原料,在Si衬底上,利用CVD的方法,在较低温度下成功制备了各种形貌的ZnO纳米线。通过研究温度、气压等因素对纳米线生长的影响,分析得出了Bi催化ZnO纳米线生长的基本规律。并通过PL谱的测试发现了材料能带变化的特征。(2)以Bi粉和Zn粉作为原料,在镀金的Si衬底上,利用CVD的方法,获得了Bi掺杂的ZnO纳米线。利用XPS的方法分析检测出了ZnO:Bi中Bi的含量为0.653%。通过荧光光谱研究,发现光谱出现了一定程度的红移,在704nm处发现,定性解释了新的较强发光峰值的出现。(3)用化学气相法在ITO玻璃上制备了ZnO线,通过水热法对ZnO纳米线进行了Bi修饰。对修饰结果进行了详细表征和分析,证实了单晶Bi对ZnO纳米线的修饰。并对修饰后的纳米线进行了光吸收谱的测定,利用Tauc方程比较了修饰前后纳米线的能带结构,解释了光吸收谱红移现象发生的原因。