基于石墨烯量子点的有机电双稳器件的制备与性能研究

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近年来,有机电双稳器件因具有简单的制备工艺、可柔性制备和成本低等优点而受到了广泛的关注和研究。电双稳器件的核心在于寻找合适的电荷俘获层材料,石墨烯量子点(Graphene Quantum Dots,GQDs)因具有低毒性、高化学稳定性等优点,成为电荷俘获材料的理想选择。本文通过制备GQDs,将其应用于有机电双稳器件,对器件的光学与电学性能进行表征,并结合器件结构与电流-电压特性来分析其电荷传导机制。主要工作和结论如下:一、制备粒径统一、高荧光强度的GQDs。采用水热法切割双壁碳纳米管,再通过透析,离心等方法进行提纯,获得GQDs水溶液。其主要表征结果为:GQDs的尺寸为2-5nm,具有明显的晶格条纹,平均厚度为0.7nm;具有强烈的绿光荧光发射光谱及激发光依赖性。二、制备基于GQDs的PMMA体系有机电双稳器件。采用旋涂和喷涂等全溶液法来制备器件,其主要实验结果如下:器件在可见光波长范围内的平均透过率约为81.68%;器件的写入电压为-1.8V,擦除电压为2.7V,且其高低电位的开关比达到104;器件进行写入或擦除操作时的电荷传导机制主要为肖特基发射与普尔-弗兰克尔发射、空间电荷限制传导效应;器件具有较好的稳定性,可以保持高低电位比为104达到104s以上;器件具有较好的耐久性,可以承受1000次以上的循环写入和擦除操作。三、采用具有耐高温性质和更高机械强度的PMSSQ替代PMMA,沿用全溶液法来制备基于GQDs的有机电双稳器件。其主要实验结果如下:器件在可见光波长范围内的平均透过率约为82.95%;器件的写入电压为-0.9V,较PMMA体系器件降低了一半,擦除电压也降低为2.2V,器件高低电位的开关比达到104;器件进行写入或擦除操作时的电荷传导机制主要为直接隧穿效应和空间电荷限制传导效应;器件具有较好的稳定性,可以保持高低电位比为104达到104s以上;器件具有较好的耐久性,可以承受1000次以上的循环写入和擦除操作;器件具有良好的可弯曲性,在不同的曲率半径弯曲下,基本能保持很大的电流开关比。综上所述,本论文主要以基于GQDs的有机电双稳器件为工作重点。创新性地采用全溶液法来制备器件,在成功制备GQDs并将其应用于PMMA体系有机电双稳器件之后,再采用新型聚合物PMSSQ替代PMMA,制备基于GQDs的有机电双稳器件,对器件的性能进一步优化,得到更低驱动电压、更高机械强度的透明、柔性器件。
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