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本文采用了分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上生长InAsSb/InAlSb异质结外延薄膜。样品采用了NBN异质结结构,来研究InAsSb/InAlSb异质外延薄膜的结构与性能,其主要目的是为了降低暗电流,以达到提高探测率的目的。在本文中主要是为这一目的做了一些铺垫工作。其具体工作如许下:在InAsSb/InAlSb薄膜外延生长过程中,采用了反射式高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜表面进行原位控制。为了克服InAsSb与GaAs间14.6%的晶格失配,生长时先低温生长一定厚