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近几年来，第三代移动通信、全球卫星定位系统(GPS)、无线局域网(WLAN)和蓝牙(blue tooth)等技术迅速发展，大大促进了对低成本、低功耗、高容量CMOS射频集成电路的需求。今大多数射频模块，如功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、混频器(Mixer)以及压控振荡器(VCO)等都可以采用CMOS工艺实现单片集成。本论文主要研究并设计了应用于第三代移动通信的功率放大器电路。首先，基于对各种功率放大器工作原理的分析和比较，确定了功率放大器的工作模式为AB类。其次，分析了片上螺旋电感的结构、等效模型以及实现方式，在电路设计中采用具有高品质因数的正方形螺旋电感来进行射频接口的阻抗匹配，以达到更好的匹配效果。然后，对大功率高效率功率放大器设计过程中CMOS工艺的限制进行了研究，从工艺角度分析了高性能功率放大器电路设计的关键因素。最后，通过对功率放大器各种性能参数的优化，设计了完整的应用于3G的射频CMOS功率放大器电路。另外，还设计了应用于第三代移动通信的低噪声放大器电路。首先，确定了低噪声放大器的电感源极负反馈共源共栅电路结构。其次，引入正反馈Q值调谐技术来降低电路的噪声系数。最后，通过对低噪声放大器各种性能参数的优化，设计了完整的低噪声放大器电路。本文采用TSMC 0.25μm CMOS工艺，在Cadence SpectreS仿真器中对功率放大器和低噪声放大器进行了电路仿真，结果符合指标要求；同时采用Cadence Virtuoso LayoutEditor软件对功率放大器电路进行了版图设计。