椭圆偏振激光场中产生正负电子对几率的一些研究

来源 :新疆大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xuefeng96ew
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
随着激光技术的发展,在超强激光脉冲中产生高能量粒子的理论研究和实验研究引起了人们极大的关注,特别是在强电场存在下真空中正负电子对产生问题的研究具有重要的意义。光子在和物质相互作用的过程中失去能量,除了发生光电效应和康普顿效应外,还有一种就是电子对生成的过程。电子对也是辐射能转换为电子静止能和动能的一个极好的例子。这篇论文中主要研究了椭圆偏振激光场中产生正负电子对的几率问题。首先,第一章中我们简单回顾有关量子电动力学的基本概念、狄拉克理论、Schwin-ger效应和WKB近似法等理论及其应用。其次,在第一章阐述的理论知识基础上,给出了强电场激光场中的狄拉克哈密顿量,并且用WKB近似法计算出二能级跃迁振幅。然后,我们在椭圆偏振激光场中分别近似地计算出了低频强场和高频弱场两种情况的正负电子对的产生几率。通过计算得到了以下结果:椭圆偏振高频弱激光场中随着偏心率的增大正负电子对产生率逐渐减小;低频强椭圆偏振激光场情况下,正负电子对的产生率的计算结果与存在恒定电场下得出的结果一致。最后,我们把得到的计算结果和以前这方面做过的研究结果进行了比较。通过比较我们发现圆偏振激光场中的正负电子对产生的几率小于线偏振光中的生产率。
其他文献
随着超大规模集成(VLSI)电路集成度的不断提高,芯片面积和功耗已成为VLSI电路面临的重要问题。多值逻辑电路具有很强的信息携带能力,使系统在一个时钟周期内成倍地传输数据,
为了研制高频大功率的BAW器件所需的基底材料,本文构建制备了“AlN/Al/Si”和“ZnO/Al/Si”的多层膜结构。氮化铝(AlN)是一种重要的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,为纤锌矿性晶体
深静脉血栓形成(DVT)是脊髓损伤病人的并发症之一,完全脊髓损伤病人下肢DVT的发生率是普通人群的3倍。脊髓损伤病人的脊髓受损水平及其以下神经冲动传导受阻,骨骼肌失去交感神经
当今社会一个人拥有一个良好的品质我们可以说明这个人是一个有灵魂的人,对于国家而言这个民族也是具有灵魂的。伴随着社会的快速发展与变化,德育教育必然也要上升到一个新的
目的分析早产儿围生期窒息颅脑CT表现特点。方法回顾性分析50例围生期窒息新生儿临床资料,比较不同胎龄(早产儿26例,足月儿24例)、不同窒息程度早产儿的颅脑CT表现、新生儿行
微电子技术与计算机技术相互渗透,相互支持和相互促进,共同得到飞速发展。微电子技术成果的结晶是集成电路,现下集成电路已经成为现代信息社会的基石。不仅是在科研领域,现下
作为激光材料,掺钕钒酸盐晶体具有一系列优异的性质,已成为继Nd:YAG之后最重要的固体激光介质,并在工作波长~1μm的中小功率全固态激光器中获得了广泛的应用。近年来,对这类晶
光存储器是近年的研究热点,更是未来光信号处理系统及光子计算机的重要发展趋势。图像传感器是摄像头最核心的部件,是数字相机的心脏,已经广泛应用于数码照相机及太空探测等
随着通信技术的不断发展,跳频通信以其抗干扰能力强、频谱利用率高和保密性好等特点,在军事和民用领域都得到了越来越广泛的应用。跳频频率合成器是跳频通信系统的核心,它决
KrF准分子激光器是惯性约束聚变(ICF)驱动器的候选者之一。研究结果表明ICF实验最合适的激光脉冲为脉宽1~10 ns的空间辐照均匀脉冲,而自由运转的KrF准分子激光脉宽为几十纳秒