【摘 要】
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该文就SiO/SiC界面质量对n沟SiCMOSFET性能的影响做了深入的研究:从碳化硅材料的晶体结构出发分析了碳化硅材料中杂质的不完全离化,采用SiCMOS反型层薄层电荷数值模型,研究了
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该文就SiO<,2>/SiC界面质量对n沟SiCMOSFET性能的影响做了深入的研究:从碳化硅材料的晶体结构出发分析了碳化硅材料中杂质的不完全离化,采用SiCMOS反型层薄层电荷数值模型,研究了杂质不完全离化对p型6H-SiCMOSC-V特性的影响.分析结果表明不完全离化对SiCMOSFET的影响主要集中在亚阈区.建立界面态密度的指数分布模型,用数值方法较为详细的分析了界面态电荷对n沟MOSFET器件阈值,漏电流,跨导和场效应迁移率的影响.明确指出碳化硅器件的反型层迁移率和实验测定的场效应迁移率不能等同,并给出了以上二者的比值与界面态密度的定量关系.该文不就如何提高SiC/SiO<,2>界面质量做出了有益的尝试:用3UCVD方法在SiC衬底上得到SiO<,2>层,期望能改善界面质量,但还未得到明确的结论.
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