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无机半导体材料/高分子树脂复合材料,既具有高分子树脂优良附着力、成膜性以及柔韧性,同时也兼有无机半导体良好的光电性能和热稳定性。用这种复合材料制备的薄膜太阳能电池,满足易加工、稳定、高效的要求,应用前景非常广阔。为此本论文以PVB树脂,CuFeS2为研究对象,旨在制备出易加工,价格便宜,热稳定性高、光学性能优良的PVB/CuFeS2光电复合材料。首先,采用热溶剂法,通过控制不同温度和浓度制备出CuFeS2纳米晶体。实验结果发现,随着硫酸亚铁浓度的改变,合成物质的性能也随着改变。当硫酸亚铁的浓度为15ml时候,成片状晶体,颗粒形貌较好,结晶度高,分散均匀,吸光强度高,导电率较好,电阻率为24.7(Ω·m),能带宽度为0.89eV。温度对晶体性能影响也非常明显。温度上升到210℃时,杂峰较少,并且峰窄而尖锐,片状晶体最明显,堆砌紧密,导电性较好,吸收强度最强,吸收峰出现了明显的红移,能带宽度0.76eV比较接近于纯的CuFeS2纳米晶粒的能带宽度。其次,本论文通过掺杂的方法来改变CuFeS2的形貌结构,来获得最佳的晶体组织。随着掺杂量的改变,晶体组织形貌和结构也随着改变,掺杂后的晶体形貌较无掺杂的好。氯化钠掺杂CuFeS2纳米晶,得出掺杂最佳值为0.1g,形成柱状晶体,结晶度最强,结晶形貌规整,颗粒大小均匀,晶粒尺寸平均为为44.2nm,吸光强度好。CTAB的加入并没改变晶体结构。最优添加量为0.3g时,29.5°处衍射强度最高,生成物分散性最好,颗粒大小均一,导电率和吸光性能也是最佳。最后将PVB和CuFeS2在助剂的作用下,通过机械的搅拌形成复合材料薄膜。得知PVB的加入拓宽了CuFeS2晶体吸收范围。最佳PVB添加量为2g,出现了两个特征吸收峰,分别为200nm-400nm的紫外吸收峰,以及800nm附近的红外吸收峰。PVB和CuFeS2晶体只是简单的物理混合,而非化学复合,这都很好的保留了两者的化学物理特性,并没有改变CuFeS2晶体的化学结构。PVB含量的加入能够提高复合材料薄膜的附着力,但是鉴于所制备的复合材料同时也需要较好的光电吸收性能,因此得出c组材料配比附着力和光电性能较优。