无机半导体材料/高分子树脂复合材料，既具有高分子树脂优良附着力、成膜性以及柔韧性，同时也兼有无机半导体良好的光电性能和热稳定性。用这种复合材料制备的薄膜太阳能电池，满足易加工、稳定、高效的要求，应用前景非常广阔。为此本论文以PVB树脂，CuFeS2为研究对象，旨在制备出易加工，价格便宜，热稳定性高、光学性能优良的PVB/CuFeS2光电复合材料。首先，采用热溶剂法，通过控制不同温度和浓度制备出CuFeS2纳米晶体。实验结果发现，随着硫酸亚铁浓度的改变，合成物质的性能也随着改变。当硫酸亚铁的浓度为15ml时候，成片状晶体，颗粒形貌较好，结晶度高，分散均匀，吸光强度高，导电率较好，电阻率为24.7(Ω·m)，能带宽度为0.89eV。温度对晶体性能影响也非常明显。温度上升到210℃时，杂峰较少，并且峰窄而尖锐，片状晶体最明显，堆砌紧密，导电性较好，吸收强度最强，吸收峰出现了明显的红移，能带宽度0.76eV比较接近于纯的CuFeS2纳米晶粒的能带宽度。其次，本论文通过掺杂的方法来改变CuFeS2的形貌结构，来获得最佳的晶体组织。随着掺杂量的改变，晶体组织形貌和结构也随着改变，掺杂后的晶体形貌较无掺杂的好。氯化钠掺杂CuFeS2纳米晶，得出掺杂最佳值为0.1g，形成柱状晶体，结晶度最强，结晶形貌规整，颗粒大小均匀，晶粒尺寸平均为为44.2nm，吸光强度好。CTAB的加入并没改变晶体结构。最优添加量为0.3g时，29.5°处衍射强度最高，生成物分散性最好，颗粒大小均一，导电率和吸光性能也是最佳。最后将PVB和CuFeS2在助剂的作用下，通过机械的搅拌形成复合材料薄膜。得知PVB的加入拓宽了CuFeS2晶体吸收范围。最佳PVB添加量为2g，出现了两个特征吸收峰，分别为200nm-400nm的紫外吸收峰，以及800nm附近的红外吸收峰。PVB和CuFeS2晶体只是简单的物理混合，而非化学复合，这都很好的保留了两者的化学物理特性，并没有改变CuFeS2晶体的化学结构。PVB含量的加入能够提高复合材料薄膜的附着力，但是鉴于所制备的复合材料同时也需要较好的光电吸收性能，因此得出c组材料配比附着力和光电性能较优。