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单片集成电路因其拥有单芯片集成,低功耗,可靠性强,尺寸小等优点而得到了广泛的应用,在各种军用和民用系统领域中发挥了重要的作用。数控移相器在微波电路中是一种很普遍应用的小模块电路,在雷达、仪表仪器、导弹、通信等众多的领域有着相当广泛的应用,对于每一个相控雷达来说,它是其发射/接收(T/R)组件的重要组成部分,这些组件都需要一个相应的数字移相器,所以移相器的性能会直接影响收/发组件的性能,进而就会影响到相控阵雷达的整体性能,由于我国的工艺水平相对比较落后,生产的芯片性能还是不能满足现在日益先进的应用的需要,数控移相器也是一样,所以本课题的研究有着很重大的现实意义。本论文中设计了一个六位的数控移相器,该移相器采用的是捷智0.18um的SiGe工艺,工作中频在400~500MHz,整个电路的最小分辨率是5.625°,移相精度为1.5°RMS,增益范围控制在0~10dB,电源电流是10mA@3.3V。这个设计是基于Agilent ADS仿真环境完成的,芯片版图的设计是在Cadence下完成的。论文的基本框架是首先介绍了数控移相器的研究意义、应用领域和发展概况,然后介绍移相器的基本原理部分,重点放在后续的电路的EDA实现和仿真结果,最后我会给出这个电路的版图和最终芯片的测试方法和测试结果。