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单片集成电路因其拥有单芯片集成，低功耗，可靠性强，尺寸小等优点而得到了广泛的应用，在各种军用和民用系统领域中发挥了重要的作用。数控移相器在微波电路中是一种很普遍应用的小模块电路，在雷达、仪表仪器、导弹、通信等众多的领域有着相当广泛的应用，对于每一个相控雷达来说，它是其发射/接收（T/R）组件的重要组成部分，这些组件都需要一个相应的数字移相器，所以移相器的性能会直接影响收/发组件的性能，进而就会影响到相控阵雷达的整体性能，由于我国的工艺水平相对比较落后，生产的芯片性能还是不能满足现在日益先进的应用的需要，数控移相器也是一样，所以本课题的研究有着很重大的现实意义。本论文中设计了一个六位的数控移相器，该移相器采用的是捷智0.18um的SiGe工艺，工作中频在400～500MHz，整个电路的最小分辨率是5.625°，移相精度为1.5°RMS，增益范围控制在0～10dB，电源电流是10mA@3.3V。这个设计是基于Agilent ADS仿真环境完成的，芯片版图的设计是在Cadence下完成的。论文的基本框架是首先介绍了数控移相器的研究意义、应用领域和发展概况，然后介绍移相器的基本原理部分，重点放在后续的电路的EDA实现和仿真结果，最后我会给出这个电路的版图和最终芯片的测试方法和测试结果。