柔性自旋电子器件结合了柔性电子与自旋电子的优势,不仅具备柔性电子便携可弯曲的特点,还拥有自旋电子所拥有的低功耗、高效率的特性,在可穿戴设备、物联网以及医疗等领域中具有广阔应用前景。目前,柔性自旋电子器件的研究在国际上刚刚起步,相关的材料选择、器件优化以及制备工艺是该领域的研究热点。本文分别采用了间接法与直接法制备了两种不同的柔性自旋电子器件,并对其性能展开研究,主要工作如下:(1)柔性磁性隧道结的制备与性能研究。利用微纳米加工技术,首先在刚性硅衬底上制备纳米尺度磁性隧道结器件,随后减薄再转移至柔性衬底,成功制备出柔性磁性隧道结器件。实验结果表明制备的器件具有优异性能:i)不同尺寸的器件均具有高磁电阻效应(TMR>120%);ii)器件在不同的拉伸应变下TMR值与高低电阻值几乎不变,这对柔性磁存储芯片的应用具有重要意义;iii)器件电阻在低磁场区域表现出应变敏感现象,电阻变化率高达13.6%,在高灵敏的应变传感上表现出应用潜力。此外,在微波响应方面,器件表现出两种不同的振荡模式;+300 Oe磁场下,铁磁共振频率达5.78 GHz;在不同的应变下由于磁弹效应的作用,有效场产生微弱的改变,而铁磁共振频率及整流电压基本保持稳定。在柔性磁性隧道结上对自旋整流现象的研究有望开拓柔性电子在低功率微波信号的探测及微波能量捕获上的应用。(2)柔性FeGa条带器件研究。利用磁控溅射技术直接在柔性衬底上沉积FeGa薄膜,然后通过微纳米加工工艺制备了柔性FeGa条带器件。实验发现柔性衬底上沉积的FeGa薄膜与Si衬底上的类似,均具有高磁致伸缩系数的A2相,并在FeGa条带中观察到了明显的各向异性磁电阻效应(AMR=0.12%)。同时,柔性器件的磁电阻值没有呈现出明显的尺寸依赖性,表明各向异性磁电阻主要起源于磁晶各向异性。