【摘 要】
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用垂直布里奇曼(Bridgman)方法生长了直径Φ30-40mm,长L100-150mm的CdZnTe(CZT)晶体,晶体重400-800g.晶体无针孔、裂纹等宏观缺陷.获得了具有大晶粒的晶体并从中定向切出了面
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用垂直布里奇曼(Bridgman)方法生长了直径Φ30-40mm,长L100-150mm的Cd<,0.96>Zn<,0.04>Te(CZT)晶体,晶体重400-800g.晶体无针孔、裂纹等宏观缺陷.获得了具有大晶粒的晶体并从中定向切出了面积从12×18mm到30×35mm的<111>和<211>方向的单晶片;对部分晶片进行了退火改性研究;针对Cd<,0.96>Zn<,0.04>Te晶片作为Hg<,0.8>Cd<0.2>Te薄膜外延衬底的特定应用,对CZT晶体的光学、结构、电学性质的测量方法和工艺技术进行了研究.用EAg-1溶液腐蚀得到的蚀坑密度EPD为7.0×10<3>-3.2×10<5>cm<-2>,红外透过率为(2.4-24μm波段)60-67%,沉积相密度为1.2×10<4>cm<-2>,沉积相大小为1-30μm,X-Ray Lang氏扫描反射像结构完整,补度均匀,15×15mm<2>大光斑X-RAY双晶回摆半峰宽FWHM约10-30〃,300K室温电阻率>10<4>Ω.cm.该文对CZT晶体生长的原理、垂直BRIDGMAN方法及其工艺技术、晶体退火改性的机理、晶体性能测试评价方法及其工艺技术作了研究,提出了相应的生长、改性和评价的方法及其工技术.
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