本文主要研究多孔氧化铝的制备和CdSe量子点的荧光特性。本文的多孔氧化铝膜实验，主要采用磷酸和草酸作为电解液，研究了多孔氧化铝膜的制备方法，实验结果证明，二次氧化法能够得到更加有序、均匀的多孔氧化铝膜。根据阳极氧化中电流与时间的变化规律分析了多孔氧化铝膜的形成过程。实验结果表明，氧化铝的孔间距与阳极氧化电压的关系近似于线性。扫描电子显微镜照片显示，多孔氧化铝膜的局部呈现出有序、均匀的周期结构。通过统计计算，还发现氧化铝膜的孔隙率只有8％，并没有达到10％，因此实验照片和实验数据是一致的，同时说明需要进一步改变实验条件，制备出孔隙率达到10％、呈现周期的多孔氧化铝膜。本文还分析了CdSe量子点在不同生长时间的荧光特性。各CdSe量子点荧光峰的半高宽基本一致的结果说明，各样品中量子点的尺度涨落基本一致。热处理和激光照射使CdSe量子点荧光峰的强度明显减弱了。特别是在110℃和150℃的热处理作用下，CdSe量子点的荧光峰位发生了蓝移。在无限深球方势阱模型的基础上分析了量子点的电子态，量子点的半径通过荧光光谱的参数被估算。本文还研究了CdSe量子点在多孔氧化铝中的荧光特性。光致发光谱说明，多孔氧化铝中CdSe量子点的荧光强度在30天时间内只减小了10％，而铝片衬底上的CdSe量子点荧光强度明显减弱，幅度大于40％。所以，多孔氧化铝中CdSe量子点的荧光特性更加稳定。