电吸收调制器在40Gbit/s光发射单元中的应用

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自从上个世纪六十年代以来,光纤通信经历了将近四十年的辉煌发展历程,技术水平迅速进步,传输距离和通信容量不断提高,应用范围不断扩大,业已成为一种支撑现代社会文明的基础技术。 本文首先在简要回顾光纤通信发展历程的基础上,介绍论文的相关背景,特别指出了研制基于电吸收调制器(EAM)的40Gbit/s光发射单元的技术可行性及其积极意义。 接下来,本文介绍了最常用的电吸收调制器的基本原理:半导体多量子阱中的量子束缚stark效应(QCSE),并介绍了电吸收调制器在光通信领域中的多种应用途径。 本文着重研究电吸收调制器的光吸收特性和啁啾特性,为应用研究打下基础。首先对EAM的光吸收性能进行实验和仿真研究,根据实验数据进行回归分析,得到EAM传输函数的数学模型。对通用经典模型进行改进和优化,并提出一种新的模型;在此基础上研究EAM工作点(工作波长、温度)对模型参数的影响。然后从理论计算和概念理解两方面分析电吸收调制器的频率啁啾特性,包括啁啾的两种产生机制的原理和啁啾控制问题。 最后,本文重点围绕电吸收调制器在40Gbit/s光发射单元中的应用展开研究。首先阐述在40Gbit/s光发射单元中使用电吸收调制器的理由。然后介绍我们设计的使用电吸收调制器的40Gbit/s光发射单元的构架方案和几个关键部分的具体实现。在介绍实验调试中出现的问题及解决方案后,给出实验结果与分析讨论。这是在国内首次实现基于电吸收调制器的40Gbit/s光发射单元,对开展后续工作有重要意义。
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