随着现代科技的发展,集成电路也备受人们的关注,器件工艺越来越先进,集成的器件工艺进入纳米级别后尺寸越来越小,对集成电路具有高可靠性的需求也变得十分迫切。由于集成电路设计的复杂性,集成的器件容易受到空间辐射环境的影响。在国防科技,航空航天等领域对集成电路抗辐射性能要求更高,由于集成系统内部模块分工合作错综复杂,用来保存数据的存储器也至关重要,关系到整个系统正常的运行,如果不对其进行加固保护,处于空间辐射环境中会对电路单元引起单粒子翻转（Single Event Upset,SEU）。因此,对静态随机存储器（Static Random Access Memory,SRAM）单元结构进行抗辐射加固也越来越成为一个重要的研究领域。本文从辐射效应带来的影响对器件造成的损伤等方面介绍了对存储器抗辐照加固的重要性,然后说明了抗辐射加固方法,已有的一些抗辐射单元进行了分析研究。提出了本文设计加固的抗辐照HRH 14T单元电路,通过在单元结构上增加冗余节点,利用冗余节点提高了抗SEU的能力。对电路进行了性能仿真与几种抗辐照单元做了分析对比,运用版图规划布局对单元进行加固设计,最后,利用TCAD 3D软件工具对单元结构建模,模拟空间粒子轰击对单元进行抗辐照性能仿真和验证。在65nm体硅工艺下,利用Candence软件工具对单元电路性能仿真分析,结果显示提出的单元结构在与6T单元相比,写裕度提高了26%,静态功耗和其他单元结构相比也有所降低。利用双指数电流源分析单元的抗辐照性能,结合单元的特性分析与仿真结果,在TCAD软件工具仿真结果中,粒子能量LET分别为10Me V-cm~2/mg、15Me V-cm~2/mg、25Me V-cm~2/mg和35Me V-cm~2/mg时,对敏感节点进行垂直轰击,敏感节点均不发生变化,存储数据不会翻转。同时,改变粒子的入射角度对敏感节点进行轰击,单元中的存储数据也不会发生变化,单元结构依然具有不错的抗SEU性能。