随着频率、功率低噪声容限需求的增加,砷化镓MESFET(金属半导体场效应晶体管)已经达到了设计上的上限,因此需要沟道长度更短、饱和电流更大以及跨导更大的FET器件。异质结构可以分离多数载流子与已经电离的杂质,提高载流子迁移率,进而改善器件的表现。H EMT(High-Electron-Mobility-Transistor,高电子迁移率晶体管)主要是因为有这种异质结构,而获得超高速、低功耗、低噪声等的优势而大量应用于射频电路中。随着MOCVD(金属有机化学气相淀积)和MBE(分子束外延)技术向前不断的更新,以及化合物材料和异质结工艺技术的日新月异的进展,以HEMT构成的各种器件越来越多,其性能也不断的得到提升。作为新一代的微波及毫米波器件,HEMT器件具有比MESFET更高的低噪声指标,且无论是在频率、效率或增益方面都有表现得非常突出。器件模型可以在很大程度上影响电路设计。只有精确的器件模型,才能真实推测出电路的性能,进而提高设计的成功率和缩短电路的开发周期,可以应对现代大规模电路的设计和研究需求。本文主要是基于HEMT器件,对射频器件建模进行了研究,主要内容包括：1)介绍了射频器件建模的重要性、使用的EDA工具及建模流程；2)分析了其小信号测试校准技术和寄生参数的去嵌方法；3)研究了小信号的建模方法和提取参数技术,并对实际HEMT器件进行了寄生元件及本征元件的参数提取和分析；4)应用半分析法对HEMT进行寄生电阻的提取,并在多偏置的情况下提取了本征元件,结果表明仿真和测试的S参数可以很好的吻合,验证了方法的准确性,频率可到40GHz；5)在经典的小信号等效电路模型基础上,介绍了改进的模型,并进行了公式推导和参数提取。