随着微电子技术的不断进步,传统的二维封装越来越难以满足新一代的技术需求。IC制造业也不得不面对芯片物理极限所带来的挑战。三维封装技术因其近乎理想的封装密度和优越的性能而被认为是未来最有希望的封装形式。在三维封装中,双面互连技术,被认为是其最为核心和关键的技术,它可以提供最短的互连路径。在双面互连技术的应用中,信号可以直接由上层传递到下一层,从而减少了传播延迟、能量损耗以及噪音。在本论文中将针对几种不同的双面互连结构进行论述及讨论。硅基MEMS双面高密度互连封装基板是由很多高深宽比的铜互连通孔组成的。　　 硅被选为基板材料,是因为采用微加工工艺,可以在硅衬底上同时把电路或者其他三维结构集成在一块基板上。更重要的是硅具有良好的热传导性。在互连通孔的制备过程中,我们首先在硅片上刻蚀出通孔,再用电镀铜工艺将通孔填满。孔和孔之间事先用热氧进行绝缘。测得的单根互连通孔的电阻最小值在1欧姆以下。成品率大概在67％左右。　　 在圆片级IC测试中,探卡的功能是待测芯片和自动测试仪之间测试信号传输的双向互连渠道。在本论文中,对MEMS探卡的制备以及结构和工艺的改进工作进行了讨论。新的工艺中引入了SU-8及浸金工艺。　　 微电子封装技术的迅速发展使得互连焊点的可靠性问题变得日趋严峻。一种新颖的基于电润湿原理提升焊点强度的方法在本文中被提出并得以验证。对于单基板上焊球结构、倒装焊结构以及密闭封装中的焊环结构分别进行了实验,测试结果表明焊点强度有了明显的提升。这一方法有希望在未来被广泛应用于硅基的系统级封装中。