论文部分内容阅读
本论文针对目前半导体近紫光(～400 rim)}芯片发光二极管(1ight emittingdiodes，LEDs)中多数红色荧光材料发光效率不高以及绝大多数LED荧光粉属于无机化合物并为外国专利所覆盖的问题，设计、合成了两种有机配体2-萘甲酰五氟丁酮(2-NapIathoyIpentafluorobutanone，NPB)和2-萘甲酰苯甲酰甲烷(2-NaphthoyIbenzoyl Methane，NBM)，使它们分别与铕(Ⅲ)及第_配体邻菲岁啉(1，10-phenanthroline，PHEN)、2,2-联吡啶(2,2-bipyridine，BPY)和三苯基氧化膦(17riphenylphosphine oxide，TPPO)反应，合成了两个系列共8种Eu(Ⅲ)的二元和三元配合物，并通过元素分析、红外吸收光谱、漫反射光谱、荧光光谱及热重实验分析它们的组成、Eu(Ⅲ)配位情况、对光的吸收性能、发光性质以及热稳定性。结果表明：所合成的Eu(Ⅲ)配合物均具有高的热稳定性，在300—450 nm的近紫外．可见光激发下，发出强的红光，归属于Eu<3+>离子的<5>D<,0>-<7>F<,J>特征跃迁：显示它们适合被近紫外光(～400 nm)芯片激发，为制备相应的红色LED和白光LED奠定了基础。其中配体NPB与Eu<3+>组成的配合物的光致发光强度比配体NBM与Eu<3+>组成的相应配合物高。
合成的Eu(NPB)<,3>(TPPO)<,2>荧光粉与特种硅胶混合，涂敷在近紫光370 nm和395 nm lnGaN小功率(0.07 W)芯片上，以环氧树脂为封装材料，制成了红色发光二极管1和2，并测定了它们的发光光谱、色温、显色指数和色坐标，发现：制成的二极管能较完全吸收InGaN所发出的400 nm附近的近紫外光，发出对应Eu<3+>的<5?D<,0>-<7>F<.J>跃迁的较强的特征红光；在20 mA正向偏流激发下，器件1的色坐标(CIE)为(X=0.6252，y=0.3212)，器件2的色坐标为(X=0.6618，y=0.3296)，可应用于制备红色LED和作为LED今色显示和白光LED中的红色组份。