【摘 要】
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该文分为两部分,第一部分是研究宽禁带半导体ZnO中四面体配位、八面体配位本征填隙在电子结构方面的区别,并且讨论了ZnO的n型本征导电性与起本征缺陷的关系.第二部分探讨的是
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该文分为两部分,第一部分是研究宽禁带半导体ZnO中四面体配位、八面体配位本征填隙在电子结构方面的区别,并且讨论了ZnO的n型本征导电性与起本征缺陷的关系.第二部分探讨的是光合系统Ⅰ的反应中心中电子传递辅助因子的结构和电子性质.该文的主要结论是:1、应用全势LMTO方法研究的结果表明,Zn的四面体、八面体配位填隙都对ZnO的本征n型导电性有贡献,而Zn空位和O的八面体填隙对ZnO的p型导电性有贡献.2、用密度泛函理论为基础的量化计算方法研究了Mg的轴向配位体和周边氢键对叶绿素的结构及其得失电子后电子自旋密度分布的影响.结果表明极性的配位体对叶绿素的结构产生很大影响,四个N-Mg键伸长了2-4.5A,并且叶绿素分子发生了~10°的弯曲.3、通过研究Fe-S簇的结构和电子性质,我们认为模拟[Fe4S4]<+>的自旋耦合只需要三个Heisenberg系数和一个共振耦合系数.
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