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由于现代电子电路与电气设备趋于小型化和集成化,设备单位体积产生的热量急剧增加,散热已经成为影响设备安全稳定运行的关键因素之一。环氧树脂（EP）具有固化收缩率低、结构强度高、绝缘性能优异、加工工艺及性能易调等诸多优点,因此它已广泛用于高低压电气及电子设备的绝缘与封装。但是环氧树脂是热的绝缘体并且具有极差的导热性。因此,环氧树脂在使用过程中会产生过多的热量,这会导致材料的加速老化,材料结构的破坏,并影响材料使用寿命。越来越严重的散热问题对环氧树脂的应用进行了严峻的考验。因此,迫切需要发展研究新的电子封装与电气绝缘材料。纳米银线（AgNWs）具有极高的导热率和较高的长径比,使其成为优良的导热填料。但是银是导体,作为填料加入树脂基体后会降低其绝缘性能,未经过表面处理的AgNWs在基体中很难分散均匀。本文对AgNWs进行了表面处理,通过静电纺丝技术将AgNWs定向排列形成导热纤维,再与EP复合形成新型结构的导热材料。本文采用双酚A型环氧树脂作为基体,AgNWs为导热填料,采用溶胶凝胶法制备AgNWs@SiO2,通过溶液共混法制备AgNWs@SiO2/EP和AgNWs/EP两种复合材料。利用原位聚合法制备AgNWs@SiO2/PAA胶液,采用静电纺丝技术制备AgNWs@SiO2/PAA纤维膜,然后热亚胺化为AgNWs@SiO2/PI纤维（F-AgNWs@SiO2/PI）膜。采用真空浸渍法将AgNWs@SiO2/PI纤维膜浸渍到AgNWs@SiO2/EP中,然后与AgNWs@SiO2/EP进行厚度1比1复合热压成型得到F-PI/AgNWs@SiO2/EP复合材料。通过傅里叶红外光谱仪的（FI-IR）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）对AgNWs、AgNWs@SiO2、AgNWs@SiO2/PAA和AgNWs@SiO2/PI纤维膜进行表征。并对三种复合材料的热导率、介电常数、介电损耗、电导率和击穿场强进行了测试分析与比较。研究结果显示:成功合成了长约20μm、直径100 nm、长径比200左右的AgNWs。AgNWs表面成功涂覆上一层厚度为20 nm左右的SiO2。AgNWs@SiO2/PAA纤维的直径约为500 nm,AgNWs@SiO2成功添加到纤维中。随着纳米填料含量的增加,AgNWs/EP、AgNWs@SiO2/EP和F-PI/AgNWs@SiO2/EP三种复合材料的热导率和电导率都呈增加趋势,当纳米填料的体积分数为8%时,F-PI/AgNWs@SiO2/EP复合材料的热导率大于AgNWs/EP和AgNWs@SiO2/EP复合材料的热导率。当纳米填料的体积分数为8%时,F-PI/AgNWs@SiO2/EP复合材料的热导率达到1.946 W/（m·K）,是纯EP的9.7倍,电导率为3.84·10-11 S/cm。当纳米填料含量逐渐增高时,AgNWs@SiO2/EP、AgNWs@SiO2/EP和F-PI/AgNWs@SiO2/EP三种复合材料的介电常数和介电损耗也逐渐增大。当纳米填料的体积为8%时,在1 MHz的条件下,AgNWs/EP、AgNWs@SiO2/EP和F-PI/AgNWs@SiO2/EP三种复合材料的介电常数分别为25.7,9.4和8.9,介电损耗分别为0.078,0.0411和0.0268。