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纯六方氮化硼(hBN)是一种直接带隙宽禁带半导体,其禁带宽度接近6eV,在紫外发光器件及高频电子器件领域具有重要的应用前景。本研究采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法制备hBN薄膜,探索催化剂对hBN薄膜CVD生长的影响规律,目的是通过在CVD过程中引入催化剂的作用获得高结晶的hBN薄膜。反应气源采用He-N2-BF3-H2的气体,基材采用(100)取向的单晶Si片。研究了催化剂的选择及其制备工艺以及CVD工艺参数对薄膜质量的影响,并初步探索了催化生长的hBN薄膜的发光性质。首