结合CdS/CdTe太阳电池背接触低阻的制备要求考虑，利用基于密度泛函理论平面波超软赝势方法和广义梯度近似，计算了ZnTe、Gd掺杂ZnTe、Y掺杂ZnTe、La掺杂ZnTe、Nd掺杂ZnTe的能带结构和电子态密度，并分析电子结构，结果表明，Y、La掺杂ZnTe电子有效质量减小，Gd、Nd掺杂ZnTe电子有效质量增大，Gd、Y、La掺杂可使载流子发生简并，且载流子浓度数量级相近。几何优化后得到了Gd、Y、La、Nd掺杂ZnTe的晶格常数，并分别计算了Gd、Y、La、Nd掺杂ZnTe与纯ZnTe的晶格失配，发现Gd、Y、La掺杂后晶格常数均变大，晶格失配分别为13.5％、5.944%、23.4%，Nd掺杂后晶格常数变小，并且Nd掺杂ZnTe与纯ZnTe晶格失配最小仅为4.03%。计算发现ZnTe导电类型为p型，稀土Y、Gd、La掺杂ZnTe导电类型改变为n型，Nd掺杂ZnTe导电类型为强p型。　　 采用双源真空蒸发法制备ZnTe及Nd掺杂ZnTe薄膜，在150℃、175℃、200℃、225℃条件下氩气保护中热处理30min，进行XPS能谱和霍尔效应测试，并分析电学性质。结果表明，Nd掺杂使Zn化学位移减小，且促进ZnTe薄膜中Zn与Te的化合，使Zn与Te更接近化学计量比，Nd掺杂ZnTe薄膜导电类型为P型，体载流子浓度随热处理温度升高逐渐降低，迁移率随热处理温度升高逐渐增大，导电性能较掺杂前有明显提高。