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本文主要研究了TiS2、Ca3Co4O9及CuSbSe2等过渡金属氧硫族化合物体系的热电输运性质。主要研究内容包括：
⑴TiS2重金属化合物夹层体系热电性能研究。首次合成出重金属夹层化合物MxTiS2(M=Bi，Nd和Gd)。研究发现当Bi的夹层量增大到x=0.1-0.15时发生一级至二级结构转变；特别是Bi，Nd和Gd引入可以降低其晶格热导率，夹层量越多晶格热导越低，在适量夹层时其热电性能显著提高。磁测量则显示Gd和Nd夹层都表现为顺磁性，但其磁矩均比单个离子小。高压研究表明TiS2在高压后发生金属—绝缘体转变，在＜～70K时遵循lnρ∝T1/3规律。
⑵研究了Ca3MnxCo4-xO9热电输运性能。实验揭示，x=0样品在T＜80K以下其电阻随温度的下降而上升由载流子浓度的下降和迁移率增大共同引起，但前者比后者贡献大。重掺杂化合物(x=0.57，0.9，1.28)低温电阻温度关系满足ρ∝exp(T0/T)1/3，出现二维可变程跳跃电导。此外，Mn的引入可显著降低其晶格热导，但热电势上升。但由于Mn替代引起电阻大幅度上升导致ZT值下降。
⑶对CuSbSe2的热电输运性质研究表明，Pb的替代使得其电阻和热电势大幅度降低，可能是由于Pb4+替代Sb3+引入电子导电引起。而Ti的替代引起电阻和热电势下降幅度不大，可能主要是Ti3+替代Sb3+；Pb和Ti的替代都导致热导大幅度下降，特别是Ti的替代使得CuTi0.02Sb0.98Se2的ZT值显著提高，室温值为CuSbSe2的两倍。