【摘 要】
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采用双层多晶硅发射区RCA晶体管工艺,研制出性能良好的双层多晶硅发射区RCA晶体管(掺磷)以及相应的环形振荡器.在室温298K双层多晶硅发射区RCA晶体管的电流增益为253,截止频
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采用双层多晶硅发射区RCA晶体管工艺,研制出性能良好的双层多晶硅发射区RCA晶体管(掺磷)以及相应的环形振荡器.在室温298K双层多晶硅发射区RCA晶体管的电流增益为253,截止频率为3.8GHz.在218K~398K(即-55℃~+125℃)范围内,其电流增益的低温下降率LTF为13﹪,电流增益的高温上升率HTR为4﹪.与双层多晶硅发射区HF晶体管、单层多晶硅发射区RCA晶体管以及金属接触晶体管MET相比,双层多晶硅发射区RCA晶体管的温度特性最好 .在液氮中双层多晶硅发射区RCA晶体管电流增益可达67,因此双层多晶体硅发射区RCA晶体管能够用于低温高速电路.由双层多晶硅发射区RCA晶体管构成的19级环形振荡器在室温下 的单门平均延迟时间为83ps.
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