【摘 要】
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近些年来,石墨烯的成功制备和应用,在凝聚态物理和材料物理领域掀起了有关二维材料的研究热潮。自石墨烯之后,由单元素构成的类石墨烯结构材料便始终受到人们的持续关注,这些
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近些年来,石墨烯的成功制备和应用,在凝聚态物理和材料物理领域掀起了有关二维材料的研究热潮。自石墨烯之后,由单元素构成的类石墨烯结构材料便始终受到人们的持续关注,这些单元素组成的二维材料也常被称作“X烯”,如“硅烯”、“锗烯”、“锡烯”、“磷烯”等。锑烯作为近年来备受关注的二维材料之一,具有非常独特的性质,比如可调控的能带结构、高的载流子迁移率、拓扑非平庸电子态等,在未来的自旋电子学领域有着巨大的应用潜力。目前,己经有许多关于锑烯薄膜的理论工作,同时大部分实验工作的重点均在锑烯的生长和表面结构的表征,对于其表面电子结构研究仍然比较缺乏。本论文主要是通过利用分子束外延的生长方式,在Ag(111)衬底表面进行二维锑烯薄膜的生长。本论文介绍了如何通过控制衬底温度、锑蒸发源温度、蒸发时间、退火温度等获得高质量锑烯薄膜,并且分别在室温衬底和低温衬底条件下进行了锑薄膜的外延生长。生长过程中通过反射高能电子衍射仪(RHEED)来监测样品表面原子的排列结构。对于生长完成后的锑薄膜样品通过X射线光电子能谱(XPS)来探索其化合状态。最后,利用角分辨光电子能谱(ARPES)对所得到的锑烯薄膜进行能带测量,探索新奇的能带结构性质。
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