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由于开关电源本身结构的复杂性和电磁辐射机理的复杂性,开关电源的远场辐射干扰在现阶段仍然是一个非常具有挑战型的问题。当前氮化镓开关凭借其宽频带和高性能的优势在开关电源中获得了日益广泛的应用,其所带来的高频化趋势也为电磁兼容设计带来了更大的挑战。本文以30 MHz的小功率超高频Boost电源为研究对象,以其远场辐射的预测及特性分析为主要研究目标,建立超高频电源远场辐射的解析模型和等效天线仿真模型,对超高频开关电源的远场辐射进行预测,并根据模型的预测结果对超高频开关电源的辐射特性进行分析。论文的主要内容如下:为了准确的提取出超高频Boost电路中的共模激励源,文章首先从电荷的角度推导出一种共模电位的表示方法,引入了一个共模电位贡献度的概念表征各导体对共模电位的贡献程度,本文将沿导体方向上共模电位发生的突变看作一个共模激励源,从而来建立共模辐射发射模型,并通过仿真和实验,验证了线路上的共模电流分布和远场辐射特性。为研究超高频开关电源的辐射机理,本文设计了一台30 MHz的小功率超高频Boost电源,对其PCB布局进行优化,并对电路进行高频建模及仿真。根据本文提出的共模源的产生机理,提取出Boost电源中的共模激励源,并对电路的辐射结构进行了分析简化,构建出电路的等效共模辐射模型,结合这一辐射模型,推导出了一套辐射场的解析算法,并运用此算法对Boost电路的远场辐射进行解析计算。为了验证辐射模型及解析算法,在十米法半电波暗室对30 MHz小功率Boost+线缆电路的辐射场进行实验测试,通过对比解析模型、共模天线仿真模型和实际测试三种方法得到的远场辐射场强,验证共模源产生机理和等效共模天线模型在超高频开关电源的远场辐射预测上的有效性,并通过共模辐射模型的仿真模拟出电路辐射场的方向图,进而对辐射场的分布特性进行分析。本文研究的主要意义在于分析了电路中共模激励源的产生机理,并将这一机理应用到超高频开关电源辐射场预测中去,并取得了较为理想的效果,为今后超高频开关电源的远场辐射分析提供了一套切实可行的方法。