碲镉汞(HgCdTe)光电探测器在红外探测方面有着广泛的军事应用。本文对激光辐照下HgCdTe探测器的电学响应机理开展了理论研究。主要工作包括：1.总结了HgCdTe探测器在激光辐照下电学响应的规律。通过对HgCdTe探测器响应过程曲线的分解,认为：对探测器在激光开始辐照和停止辐照的瞬间的快速变化行为,需要考虑热载流子效应。2.利用基于漂移-扩散模型的光伏(PV)型光电探测器输出电压的解析模型,考虑探测器的温度变化,对PV型HgCdTe探测器在波段内1.319μm激光辐照下的电学响应进行了数值计算。通过计算结果与实验结果的对比,认为：在较强激光开始辐照和停止辐照的瞬间,载流子的温度将发生快速的、明显的变化,这时不能认为载流子体系与晶格体系处于热平衡状态。3.采用能够描述半导体内载流子过热现象的能量平衡模型描述激光辐照下半导体探测器的电学响应。加入了激光辐照的因素,使得模型能适用于我们所要研究的问题。4.建立了描述波段外激光辐照下光导(PC)型HgCdTe探测器电学响应的一维理论模型,选用适当的模型离散化方法和非线性方程组求解方法,对波段外10.6μm激光辐照下PC型HgCdTe探测器的电学响应进行了数值模拟,模拟结果与实验结果相吻合。对模拟结果的分析表明,在波段外10.6μm激光辐照下,在激光开始辐照和停止辐照的瞬间,探测器电阻的快速变化是由载流子温度的迅速变化引起的；在激光辐照过程中以及激光停照后,探测器电阻的缓慢变化是由晶格温度的缓慢变化引起的。以上工作表明,在较强激光辐照下,在激光开始辐照和停止辐照的瞬间,载流子温度将发生快速的变化,这时载流子体系与晶格体系不再处于热平衡状态,探测器的输出也会发生快速变化；在激光辐照过程中以及激光停照后,晶格温度和载流子温度将发生相对缓慢的变化,探测器的输出也会发生相对缓慢的变化。