【摘 要】
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随着片式电阻向高稳定性和低温度系数方向的发展,随之出现了薄膜片式电阻,国内国外各片式电阻的生产厂家以及科研单位与院校都投入了大量的人力与物力,开展薄膜电阻的研究,薄
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随着片式电阻向高稳定性和低温度系数方向的发展,随之出现了薄膜片式电阻,国内国外各片式电阻的生产厂家以及科研单位与院校都投入了大量的人力与物力,开展薄膜电阻的研究,薄膜电阻从而得到了快速的发展。本文主要从以下几个方面研究高稳定性Ni-Cr合金薄膜电阻的制备、工艺以及Ni-Cr合金薄膜电阻的影响因素:1.研究不同溅射时间对Ni-Cr合金薄膜电阻阻值的影响。2.研究自转方式与行星运转方式对Ni-Cr合金薄膜电阻阻值均匀性的影响。3.研究溅射屏栅电压为700V时,不同热处理温度对Ni-Cr合金薄膜电阻稳定性的影响。4.研究溅射屏栅电压为900V时,在470℃时不同热处理时间对Ni-Cr合金薄膜电阻稳定性的影响。5.研究溅射屏栅电压为1100V时,不同热处理温度对Ni-Cr合金薄膜电阻稳定性的影响。6.研究陶瓷基片表面粗糙度对Ni-Cr合金薄膜电阻阻值及膜层稳定性的影响。本文还应用扫描电镜观察薄膜表面形貌,以及热处理前后薄膜元素含量和结构的变化;用X射线衍射仪进行X衍射分析,观察薄膜经不同热处理后的变化;用PW-1A型金相磨抛机做厚膜片式电阻和薄膜片式电阻的破坏性物理分析(DPA),直观对比薄膜电阻与厚膜电阻的膜层厚度;用Agilent34401A测试仪测量不同研究方法时薄膜电阻的阻值。通过本课题的研究最终得到了高稳定性Ni-Cr合金薄膜电阻的制备和工艺方法,以及了解了薄膜表面的形貌和热处理对表面结构的影响。
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