铈掺杂氧化铜纳米线的制备与发光性能研究

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纳米材料在磁、光性能等方面有潜在的应用价值,备受研究者的青睐。一维纳米材料可控制备是目前纳米材料领域的研究重点,许多相关实验课题组通过不同的制备手段,已获得形貌良好且性质稳定的一维纳米材料。本实验是在阳极氧化铝模板的基础上,通过电化学沉积方法以及后期的热处理制备CuO和CuO-Ce纳米线样品。用X射线衍射,透射电子显微镜(TEM),X射线光电子能谱(XPS)等仪器分析了纯氧化铜和铈掺杂氧化铜纳米线的结构和发光性质。研究发现,随着沉积电位的升高(-0.4 V,-0.35 V,-0.3 V),CuOCe
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