【摘 要】
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为了更深入地了解电子俘散材料的光学性质,进一步提高它们的光存储性能,我们在一些离子键(或离子性较强的)晶体中研究了电子陷阱的形成和俘获机制,其中着重讨论了Sm掺杂和共
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为了更深入地了解电子俘散材料的光学性质,进一步提高它们的光存储性能,我们在一些离子键(或离子性较强的)晶体中研究了电子陷阱的形成和俘获机制,其中着重讨论了Sm掺杂和共掺杂的碱土金属硫化物的电子俘获机理.制备了Sm离子在CaS:Sm、CaS:Eu,Sm和SrS:Sm、SRs:Eu,Sm、SrS:Ce,Sm等光存储材料,它们在激发后都可存储光能并以红外光的照射下将存储的光能释放出来,产生光激励发光.针对过去对于这类材料的研究报道中的一些问题,对Sm离子在其中的作用以及它的价态进行了研究,并提出了一个新的电子俘散机理的模型.另外我们也讨论了X-光存储材料BaFBr:Eu和长余辉材料SrAl<,2>O<,4>:Eu,Dy在光存储过程中的稀土离子价态的变化.该文主要通过吸收光谱的方法,来考察Sm离子在碱土金属硫化物中对电子陷阱的影响.
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