随着集成电路工艺的不断进步,辐射效应对电路可靠性的威胁越来越大,其中单粒子效应逐渐成为集成电路故障的主要原因。标准单元作为构成集成电路的基础,对其进行准确的单粒子效应敏感性评估,是抗辐射集成电路设计与加固的基本要素。由于标准单元的数量过于庞大,考虑到时间与精度上的折衷,需要利用仿真手段获得其单粒子效应数据。本论文基于一种电路级单粒子效应仿真方法对标准单元库中大量标准单元进行了单粒子效应仿真,针对特征尺寸、驱动能力、版图结构三个因素对标准单元单粒子敏感性的影响进行研究。论文的主要研究成果包括以下几点:（1）开展了特征尺寸对标准单元的单粒子效应影响的仿真研究工作。仿真结果显示特征尺寸的减小导致反相器的敏感漏极区域面积迅速减小,且由于单元内电荷共享效应的作用,反相器的单粒子瞬态脉冲受到脉冲窄化效应的影响,反相器的单粒子瞬态脉冲宽度、敏感截面与版图面积之比均随着特征尺寸的减小而减小。（2）对标准单元库中包含或非门、与非门、反相器、D触发器等六种标准单元进行单粒子效应仿真,研究驱动能力变化对标准单元单粒子敏感性的影响。研究表明,不同种类标准单元随驱动能力增加其单粒子敏感性变化趋势不同,但当驱动能力增至一定倍数,标准单元的单粒子敏感截面与版图面积比会明显下降,且随驱动能力增加,单元单粒子瞬态脉冲基本呈现单调下降的趋势。在进行仿真的标准单元中,反相器单元的抗单粒子能力最强。（3）通过分析子模块驱动能力、晶体管连接方式及金属孔数量对标准单元单粒子敏感性的影响,发现驱动能力高的子模块较驱动能力较低的子模块具有更高的抗单粒子性能;标准单元内部晶体管采用共漏极的晶体管连接方式有助于减小单元反偏漏极的面积,将单元中共源极、独立源漏的连接方式替换为共漏极连接可以有效增强标准单元的抗单粒子性能;增加标准单元有源区与第一层金属间的金属接触孔数量可以有效增强标准单元的抗单粒子性能。