【摘 要】
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二氧化钒（VO2）在68℃左右会发生显著且可逆的金属-绝缘体相变特性。这种相变将引起VO2在电学、磁学和光学等性质发生跃变,且具有很强的开关效应,例如光学方面红外透射率的突变。因此,VO2在相应领域内存在巨大的应用潜力。而不同的应用要求VO2薄膜具有不同的金属-绝缘体特性（MIT）。掺杂是调节VO2薄膜MIT相变性能最有效的方法,但这些掺杂剂的存在会导致VO2薄膜的相变性能如光学和电学调制特性的降
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二氧化钒（VO2）在68℃左右会发生显著且可逆的金属-绝缘体相变特性。这种相变将引起VO2在电学、磁学和光学等性质发生跃变,且具有很强的开关效应,例如光学方面红外透射率的突变。因此,VO2在相应领域内存在巨大的应用潜力。而不同的应用要求VO2薄膜具有不同的金属-绝缘体特性（MIT）。掺杂是调节VO2薄膜MIT相变性能最有效的方法,但这些掺杂剂的存在会导致VO2薄膜的相变性能如光学和电学调制特性的降低,从而大大限制了VO2薄膜的应用。为了能在不改变VO2薄膜相变性能条件下调节相变温度,我们通过化学反应方法进行电子注入调控VO2相变温度。由于只是电子注入,因此对晶格完整性破坏不大有望保持VO2薄膜的相变性能。此外这种处理方法相较于其他调控VO2相变温度方法还具有成本低廉、操作简单等优点。基于此,本文通过第一性原理计算,在理论上证明注入电子可以有效调节二氧化钒的相变温度。并通过抗坏血酸反应的实验证明了该方法有效性。
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