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RF MEMS开关作为MEMS器件的重要组成元素,主要应用于移相器、滤波器、可变电容器、谐振器等射频领域中。目前RF MEMS开关存在驱动电压高、传输功率小、闭合时间长、可靠性差等问题。本文提出了一种新型双驱动、双平衡、信号电极同驱动电极分离的RF MEMS开关。论文主要包括以下内容:1.根据RF MEMS开关的静电驱动原理和MEMS加工技术,提出了一种新型双驱动RF MEMS开关模型。2.建立RF MEMS开关静力学方程,采用数值方法求解,得到驱动电压与梁结构的变形量的关系,结果显示,要达到膜桥开