本论文在并五苯单晶薄膜的生长和场效应管的制备基础上,采用分子动力学与分子热力学相结合,分析了并五苯薄膜的生长过程;借鉴微波传输线理论,对有机场效应管顶接触和底接触两种形式的结构寄生效应,分别给出它们的等效电路图;考虑到场效应管沟道中载流子浓度的非线性,指出了场效应迁移率与载流子浓度的幂指数关系。从并五苯的晶体结构,晶胞中分子的鲱鱼骨架状排列,分子长度的变化和分子间的相对位移出发,阐述了并五苯薄膜中同质异相体的产生原因。针对并五苯分子之间三种可能的相互作用类型:共价键、范德瓦尔斯力和静电库仑相互作用,前者用两个非等效分子的交叠模型,后两个用对势中的Born-Mayer-Haggins模型势,近似计算了不同的并五苯同质异相体与模型势能谷值的对应关系;根据密度泛函理论,采用紧束缚模型下能带位移关系,计算了并五苯的电子能带宽度,分析了能带宽度与温度的关系以及对迁移率的影响。事实上,并五苯已经晶化成不同的晶体结构,并五苯同质异相体的结构变化,对它的稳定性和载流子迁移率都有明显影响。通过合理建模和理论计算,深入研究分子间的相互作用以及电子传输机理,为理解有机半导体材料的晶格变化对电学性质的影响,寻找优质稳定的器件材料,提供了一条有效途径。