用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合(TB-LMTO)方法，采用超级原胞模型，在覆盖度为0.5ML时，对Ag、Mg在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的电子结构和性质进行了研究。 在研究Ag在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附时，计算中所取的超级原胞模型如下：选取一个2×1的表面超原胞，用十三个Si原子层来模拟基底，在基底两边各吸附0.5ML的Ag原子，同时包含相当于五个原子层厚度的真空层，且模型具有镜面对称性。用增加基底厚度的办法与该模型作对比，结果表明所取模型是合理的。通过对Ag原子在六种不同吸附位置总能Etot的计算，我们发现Ag原子在吸附面上方的cave位吸附最稳定，在Si表面处不存在势垒。因此，在Ag/Si(001)界面处不存在Ag-Si混合层，Ag/Si(001)界面为突变界面。由于Ag的吸附，清洁表面的LPDOS有轻微的降低，其原因是表面层Si原子的悬挂键被Ag原子部分饱和，Ag原子与表面Si原子之间的反应主要是由于Ag4d10态与Si3p2态成键，其余态成键较弱。与同为贵金属一族Au在Si(001)表面的吸附相比，Ag和Si之间的反应比Au和Si之间的反应弱。 对于Mg在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的研究，在计算中所取的模型与Ag在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附时的相似，选取一个2×1的表面超原胞，用13个Si原子层模拟基底，在基底两边各吸附0.5ML的Mg原子，同时包含相当于5个原子层厚度的真空层，模型具有镜面对称性。用增加基底厚度的办法与该模型作对比，结果表明所取模型是合理的。通过对Mg原子在五种不同吸附位置总能Etot的计算，我们发现Mg原子在吸附面上方的cave位吸附最稳定，同时在吸附面上方还存在一个亚稳位置shallow位。当Mg在cave位吸附时从被吸附的Mg原子转移到基底的电子数，多于Mg在shallow位吸附时转移的电子数。Mg在cave位吸附后表面层的LPDOS比Mg在shallow位吸附后变化明显，这是由于cave位Mg-Si之间的相互作用比shallow位的强。从上面的讨论，我们可以断定覆盖度为0.5ML时，Mg原子在Si(001)-(2×1)表面最稳定的吸附位置是cave位，也可能有少量Mg原子吸附在亚稳位置shallow位，得到与实验相一致的结论。同时，吸附层Mg原子与表面层Si原子产生相互作用，使Si原子的悬挂键部分被饱和，这主要是Mg3s2态与Si3p2态成键，Mg3s2态与Si3s2态的键合较弱。