立方氮化硼强电场下发黑和压电效应研究

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立方氮化硼(cBN)晶体是一种天然不存在的人造宽禁带半导体材料,禁带宽度大约为6.3eV,具有闪锌矿结构,宏观对称性属于43 m群。cBN晶体与金刚石很相似,但是在许多性质上cBN晶体都优于金刚石,如抗高温性,抗氧化性,化学稳定性以及半导体性质等。在高温、高频、高功率电子器件和紫外光电器件方面具有极其广泛的应用前景。本文主要研究cBN在强电场下的性质,在实验过程中观察到了cBN晶体在强电场下的电击穿,首次观察到电致发黑现象,测得了击穿前后的透射光谱,根据吸收情况随cBN晶体的电流,不同波长及不同光强的光的吸收变化,判定为自由载流子吸收,实验和理论分析一致。同时,在实验过程中观察到了cBN有较明显的逆压电和电致伸缩效应,并从理论上推导了cBN晶体的逆压电和电致伸缩效应,为以后的实验工作奠定了理论基础。
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