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五氧化二钒因具有许多独特的光学和电学性质而得到了广泛的研究。这些性质使得五氧化二钒在能量存储、红外探测、电致变色、气敏传感、催化等众多领域有着巨大的应用价值。随着近年来纳米技术的发展,超薄五氧化二钒薄膜因其优异性能逐渐成为人们的研究热点。然而,对于超薄五氧化二钒薄膜而言,传统薄膜制备工艺很难在复杂结构上实现对薄膜的厚度和均匀性的精确控制。这也使得传统薄膜制备手段难以满足当前各领域器件小型化,结构复杂化的发展需求。本文针对这一应用需求,提出采用原子层沉积技术来解决五氧化二钒薄膜的生长与掺杂控制的问题。