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该文对Si基Si<,1-x>Ge材料、Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>材料的生长进行了研究,并用Monte Carlo方法对IV族半导体材料的生长进行了模拟.
硅基IV族半导体合金生长及其MonteCarlo模拟
【摘 要】
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该文对Si基SiGe材料、SiGeC材料的生长进行了研究,并用Monte Carlo方法对IV族半导体材料的生长进行了模拟.
【机 构】
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南京大学
【出 处】
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南京大学
【发表日期】
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2000年期
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