铌酸锂晶体是一种应用广泛的人工晶体材料，由于其具有优良的光弹、电光、声光、压电、铁电、热释电、光生伏打效应及光折变效应，使其在调Q开关、光电调制、倍频、光参量振荡等方面得到了广泛的应用。掺杂是调控铌酸锂晶体性能的重要手段。分析发现，目前的掺杂大都价态较低，即低于铌离子的价态。如二价的离子掺杂Mg2+和Zn2+，三价离子掺杂In3+和Sc3+，四价离子掺杂Zr4+和Hf4+，这些离子掺入晶体中倾向于占锂位，形成锂位缺陷，对晶体的性能产生了显著的影响，若在晶体中掺入高价离子，如六价离子，这些离子是否会倾向于占铌位，形成铌位缺陷。这些缺陷将对晶体的光学性质产生怎样的影响？目前对于高价离子掺杂的研究很少，为此本论文研究了掺钨铌酸锂晶体。　　 第一章，介绍了铌酸锂晶体的晶格结构、缺陷结构、基本物理特性，并总结了不同的掺杂元素对晶体性能的影响。　　 第二章，介绍了提拉法生长晶体的工艺，晶体的退火及单畴化，以及生长缺陷分析，并生长了同成分及近化学计量比掺钨铌酸锂晶体。　　 第三章，通过光斑畸变发现在532 nm的激光下，同成分掺钨铌酸锂晶体损伤阈值为104 W/cm2，而488 nm时，光损伤阈值为103 W/cm2;通过全息存储实验发现掺钨铌酸锂晶体的响应时间能缩短到1.0 s以内。紫外-可见吸收光谱显示随着掺杂浓度的增加晶体的吸收边发生红移。X射线光电子能谱表面钨在铌酸锂晶体中的价态为四价和六价。　　 第四章，利用提拉法生长了近化学计量比掺钨铌酸锂晶体，并研究了它们的光折变性能，光斑畸变，测试结果表明晶体的光损伤阈值为103 W/cm2量级，全息存储实验显示对于532 nm激光衍射效率为4％，响应时间为80 s左右;对于488 nm激光衍射效率为25％，响应时间为45 s左右。紫外-可见吸收光谱的研究表明，随着掺杂浓度的增加，吸收边逐渐红移。　　 第五章，总结了掺钨同成分和近化学计量比铌酸锂晶体的实验结果，并对今后的研究工作进行了展望。