本文采用器件模拟的方法,研究了不同结构4H-SiC双极晶体管(BJT)的特性。论文首先建立了4H-SiC BJT的物理模型,模拟结果和实验数据符合较好,说明模型的正确性。对基区为高斯掺杂的4H-SiC双极晶体管直流和交流特性的模拟表明,基区由恒定掺杂形式改为高斯掺杂形式后,将SiC BJT的电流增益从原来的16.65提高到了44.49,基区高斯掺杂器件的开启电压,导通电阻和厄利电压等参数都有了一定程度的改善,频率特性也有进一步的提高。对三层外延缓变基区的SiC BJT结构的直流、击穿和交流特性进行了分析,发现多层外延缓变基区的结构确实能有效的提高电流增益和频率特性,而且这种结构的器件不需要离子注入和高温退火工艺,这将减少对SiC表面的晶格损伤,有助于提高基极和发射极之间钝化层的质量。最后研究了基区的厚度和掺杂浓度对共射极电流增益和频率特性的影响。本文对4H-SiC缓变掺杂基区双极晶体管的研究,对开展SiC功率器件的研制提供理论指导,将在高温,大功率等领域有广泛的应用前景。