真空蒸发制备Sb掺杂CdTe薄膜及其特性研究

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采用真空蒸发法在玻璃衬底上制备纯的和金属Sb掺杂的CdTe薄膜,在氩气的保护下对薄膜进行不同条件的热处理。并采用X射线衍射仪、原子力显微镜、扫描电子显微镜、光电子能谱仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应测试仪对薄膜的晶体结构、表面形貌、化学成分和光、电性能进行了测试分析。实验发现:金属Sb掺入CdTe薄膜后,薄膜的物相结构和导电类型并没有改变。但薄膜的三强衍射峰均有所增强,表明掺杂促进了薄膜的结晶,薄膜的晶格常数略有减小、晶粒尺寸有所增长。而且掺杂Sb对CdTe薄膜的光、电学性能产生了非常明显的
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