射频功率放大器在无线通信系统发挥着中重要作用,而Doherty功率放大器(DPA)被认为是能够在较大输出功率回退(OPBO)条件下实现高效率放大调制信号的有效结构,因此已广泛用于基站通信系统。然而,随着5G通信时代的到来,对高效率和宽OPBO范围的需求不断增加,同时实现高效率和宽OPBO范围变成了 DPA设计的重大挑战。近年来,基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的DPA引起了极大的关注,这主要归功于其出色的材料特性,例如高截止频率和高功率密度,尤其是输出功率和效率之间的出色折衷。然而,寄生效应的存在,尤其是GaN HEMT输出端的寄生电容,限制着DPA的饱和漏极效率的提高和OPBO范围的扩展。因此,对抑制DPA电路设计中的寄生效应展开研究是非常重要的。在本文中,提出了一种基于补偿CGH40010 GaNHEMT的寄生电容的高效高回退DPA。在晶体管输出和输出匹配网络之间应用并联短路微带线,与晶体管内部输出电容LC谐振,以实现寄生电容补偿,从而在较高频率的宽OPBO范围内实现高饱和效率。实物测试的结果表明,该DPA可以在2.7 GHz-3.6 GHz内保持6 dB的功率回退,回退效率40.4%-52.2%,而900 MHz带宽内饱和输出功率范围是43.9 dBm-44.7dBm,所测得的饱和效率为67.2%-73.3%。尤其是在2.9 GHz-3.3 GHz范围内可以保持10 dB功率回退后的效率高于40%,饱和效率为70.2-73.3%。当受到具有7.5 dB PAPR的20 MHz LTE信号的激励时,所提出的DPA与数字预失真(DPD)相结合,实现了低于-47.2dBc的相邻信道泄漏比(ACLR)。测试结果表明本文设计DPA具有创新性及可行性。