当声表面波气体传感器放置在气体环境中时,气体分子会与传感器的敏感层相接触,当气体分子进入敏感层之后,可能会引起以下三种变化:薄膜有效质量（质量负载）、弹性模量/密度/粘度（弹性负载）或导电性（电负载）的变化,这三种变化均可以改变声表面波气体传感器器件的谐振频率。本文使用前驱胶体制备了常见的金属半导体氧化物——SiO₂、SnO₂以及CuO,并制备复合薄膜作为气敏材料,成功的制备了基于SiO₂-SnO₂复合薄膜的声表面波氨气传感器,和基于SnO₂-CuO复合薄膜的声表面波硫化氢传感器。（1）先通过St?ber方法制备SiO₂溶胶,然后制备SnO₂前驱胶体,再以体积比为1:1制备混合溶胶,将制备好的混合溶胶旋涂在ST-cut声表面波石英器件上,并在400°C下的空气环境中进行退火处理2小时得到SiO₂-SnO₂复合薄膜敏感层。在氨气环境中,SnO₂敏感层和SiO₂-SnO₂复合敏感层传感器频率呈现正向移动,而SiO₂敏感层传感器频率呈现负向移动。正频移与羟基的脱水以及缩合有关,使薄膜变得更硬更轻。负频移主要是由于薄膜表面的水分子吸附氨气分子所引起的质量负荷增加导致。基于SiO₂-SnO₂敏感层的气敏传感器在3 ppm氨气环境中的出现631Hz的正频移;与一氧化碳、氢气、二氧化氮和甲烷气体的气敏响应相比,其对氨气有良好的选择性,同时其具有良好的重复性和稳定性。（2）先通过溶胶-凝胶法,制备SnO₂以及CuO的前驱胶体,并按体积比1:1混合后,采用旋涂法将混合溶胶旋涂在ST-cut声表面波器件上,并在400°C下的室内环境中进行2小时退火处理得到了CuO-SnO₂敏感层。SnO₂以及CuO分别为N型半导体与P型半导体,两者形成P-N结,当CuO与H₂S反应生成CuS之后,CuO与SnO₂形成的P-N结将会消失,导致薄膜的电导增加,从而使传感器的谐振频率产生变化。基于CuO-SnO₂敏感层的声表面波硫化氢传感器在室内环境下对硫化氢的检测下限能达到100 ppb,频率移动为-978 Hz;与一些常见气体如:氨气、二氧化氮、一氧化碳、氢气相比,其对硫化氢具有更好的选择性。此外,研究了基于CuO-SnO₂敏感层的声表面波传感器的传感机理,发现电导率以及质量负载是其表现为负向频率移动的主要原因。