在图形化Si(001)衬底上通过自组织生长,我们可以得到带有薄Si空间层的多层有序锗硅量子点。锗硅量子点的空间有序结构由周期性的图形化衬底所决定,而这空间有序结构和平衬底的随机量子点相比,显著提高了量子点尺寸的均一性,我们可以通过AFM图可以明显看到这一点。同时在做光致发光实验过程中,我们改变激发功率和温度来观察图形化衬底和平衬底的光谱,发现图形化衬底的量子点所产生的峰与平衬底相比不但强度有所增强,在峰位,半高宽以及积分强度上都有明显的不同,特别随着激发功率的增强,图形化衬底样品的半高宽却随之减小,这一点是以前研究中极少观察到的现象。图形化衬底的光致发光峰的强度之所以比平衬底的峰强度要高,我们认为的原因是在均一而有序的量子点中存在高密度态以及激子的均一分布,从而抑制了俄歇效应和库仑屏蔽效应的作用。而随着激发功率的增强有序量子点的光致发光谱的峰的半高宽反而减少,其主要原因是因大量周期性的锗硅量子点分布反馈而导致的。