本文将脉冲电沉积技术与氧化铝模板相结合，以一维半导体纳米合金材料InSb和ZnTe为研究对象，系统地研究了准一维纳米材料微阵列的可控生长及其相关物性，探索了其“结构—物性”的关系。主要研究内容包括：　　 ⑴采用脉冲电沉积技术制备出不同直径的InSb合金单晶纳米线阵列。实验发现，电解液成分、pH值和沉积参数等对纳米线的生长有着重要的影响。在系统研究基础上，获得了InSb合金纳米线最佳制备工艺参数，实现了InSb合金纳米线阵列成分、结构的可控生长。InSb合金纳米线阵列的红外光吸收研究表明，纳米线的光学吸收边发生了明显的蓝移现象，纳米线直径越小，蓝移量越大。电输运测量发现InSb纳米线阵列的I-V特性很好地符合了热电子发射理论。当温度由300K下降到50K时，直径为50nm的InSb纳米线阵列的电阻增大了10倍，而直径为80nm的InSb纳米线阵列的电阻却增大了近70倍。这对于从理论上正确认识纳米线中电输运的机制具有重要的启示与指导意义。　　 ⑵采用脉冲电沉积技术制备了ZnTe合金单晶纳米线阵列。探讨了ZnTe纳米线的电化学形成过程与生长机理。研究表明，电解液成分、配位剂和沉积参数等对ZnTe纳米线的生长有着重要的影响。光吸收光谱研究表明，不司直径的ZnTe合金纳米线阵列的光学吸收边都发生了明显的蓝移，并且直径越小，蓝移越大，呈现出明显的量子尺寸效应。　　 ⑶通过选择合适浓度的NaOH溶液和控制腐蚀的方法分别制备出Al2O3纳米线、纳米管并首次制备出InSb/Al2O3纳米同轴电缆。研究结果既开拓了制备纳米电缆的一种新思路，同时也有助于拓展氧化铝模板的应用。