ZnO压敏电阻器具有非线性I-V特性高、浪涌吸收能力强、漏电流小、通流容量大等优点，广泛应用于电力系统和微电子等领域。传统的ZnO压敏电阻器是以微米级的ZnO粉体为原料，受其固有的物理、化学和热力学特性的制约，难以提高其性能。为了寻求解决这些问题的方法，进一步提高产品质量，本文从纳米ZnO粉体的制备入手，研究了纳米ZnO压敏陶瓷的烧结和压敏性能，并和普通ZnO压敏陶瓷的性能进行比较。取得如下结果： (1)采用直接沉淀法可制备出粒径小于100nm的ZnO纳米粉体。随前驱体焙烧温度的升高和焙烧时间的延长，晶粒逐渐长大，晶体发育趋于完整。经过计算，纳米ZnO的晶粒生长动力学，指数为1.8，比其他一些氧化物的晶粒生长动力学指数小。 (2)随着烧结温度的升高，ZnO压敏陶瓷的晶粒逐渐长大，结构逐渐致密；随着温度的进一步提高，晶粒内部出现气孔，至1200℃时，晶粒内的气孔(微空洞)明显地增多、变大。所以欲获得显微结构均匀、性能优异的ZnO压敏陶瓷片，其烧结温度不能过高，以1200℃为宜。 (3)纳米ZnO压敏陶瓷烧结后得到比普通ZnO压敏陶瓷晶粒尺寸小的烧结体，而且纳米ZnO压敏陶瓷比普通ZnO压敏陶瓷结构均匀。太原理工大学硕士学位论文 (4)坯体在低温(900℃)烧结时，晶粒中存在大量的亚晶界，陶瓷体中能产生非线性特性的晶界层的作用不十分明显，从而造成非线性消失。随着烧结温度的升高，亚晶界数目减少，到1200℃后就会趋于消失，其非线性特性较好。 (5)纳米Zno压敏陶瓷比普通zno压敏陶瓷的非线性特性要好。这是由于纳米ZnO压敏陶瓷比普通Zno压敏陶瓷结构均匀，导致具有双肖特基特性的晶界层作用较好。而且，高温烧结时，纳米ZnO压敏陶瓷产生的气孔少，这也是其性能好的一个原因。