随着空间技术、通信技术、雷达技术等的应用与发展,其对微波电路的要求越来越严格。相应地,微波单片集成电路(MMIC)的应用受到了越来越多的重视,射频或微波电路的高集成度和小型化成为了新的发展趋势,其中垂直互连结构成为了微波集成电路的一个研究热点。本文研究了微波集成电路中垂直过孔结构(via)的电磁特性,讨论了其尺寸结构对电磁特性的影响,并做了相应的实验测试验证。首先,对垂直过孔结构进行建模分析,给出了反映其电磁特性的S参数与其自身尺寸结构有关的特征参数的关系公式,确定了垂直过孔结构的几何尺寸对其S参数的影响,如过孔高度、过孔半径、接地板开孔半径、传输线等效半径(微带线宽度)、以及封装屏蔽高度等。其次,应用矩阵束矩量法对垂直过孔结构进行全波分析和计算,阐述了其理论计算方法与过程。同时,使用HFSS仿真软件对垂直过孔结构进行了电磁仿真,并给出了计算结果与仿真结果的比对分析,验证了计算结果的正确性。深入地讨论了各个尺寸参数分别对S参数的影响特点与变化趋势,并且给出了满足一定设计要求的尺寸建议。最后,介绍了实验测量应用到的去嵌入理论,研究了去嵌入的方法与过程。使用矢量网络分析仪(VNA)完成了对垂直过孔结构实验模型(开放式结构)的实际测量,并给出了理论计算结果与实验测量结果的比对分析。