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GaInSb和GaAlSb晶体作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,凭借其特有的电子迁移率高、带隙窄等优点,被广泛地应用于红外探测、激光雷达、光伏发电、集成电路、导航追踪等科技前沿领域。但由于GaInSb晶体中In元素存在较大的组分偏析,且制备的晶体中存在较多位错及微裂纹等缺陷,GaInSb晶体的结构和性能一直没有得到明显地提高。而对于GaAlSb晶体,大多都是通过外延生长技术来制备薄膜类的晶体材料。外延生长技术对于薄层厚度有一定的临界尺寸要求,对于大尺寸的晶体制备及工业化生产也存在一定的局限性。而且