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作为一种环行传输微波信号的器件，微波环行器广泛应用手机、移动基站、相控阵雷达等各种民用与军用设备中。随着单片微波集成电路的快速发展，研制体积更小，重量更轻的小型化环行器是环行器发展的必然趋势。微带薄膜环形器具有体积小、重量轻、结构简单、生产成本低等优点，受到广大研究人员的青睐。钇铁石榴型铁氧体(Y3Fe5O12, YIG)是一种亚铁磁性材料，具有铁磁共振线宽窄、电阻率高、高频损耗小、优良的旋磁效应而被广泛的使用于环形器中。YIG薄膜质量的高低将直接影响薄膜环形器性能的好坏，所以如何制备高质量的YIG薄膜急需解决。本文将利用PLD技术在Si基片以及GGG基片制备YIG薄膜，并利用HFSS软件对微带薄膜环形器进行仿真设计。其主要内容如下：（1）分别利用化学共沉淀法和固相球磨法制备YIG粉体，并烧结得到YIG靶材。研究了Y与Fe离子的原子计数比、PH值、煅烧温度与时间对共沉淀法得到的YIG粉体性质的影响。通过XRD、SEM、VSM等测试分析，比较了用化学共沉淀法以及固相法制备的YIG靶材的性能差异。（2）利用脉冲激光沉积（PLD）在单晶Si面上沉积YIG薄膜。首先初步的研究了氧压以及退火温度对薄膜性能的影响，然后在缓冲层的基础上深入的研究了氧压、基片温度、退火温度对薄膜性能的影响，并研究了缓冲层对薄膜性能的影响。（3）利用脉冲激光沉积在单晶GGG（444）基片上沉积YIG薄膜。研究了氧压对YIG薄膜性能的影响。（4）利用HFSS软件对微带薄膜环形器进行仿真设计。研究了薄膜与衬底的厚度比对环形器的带宽的影响。得到以下结论：（1）对于共沉淀法制备YIG靶材，小范围变动原子计数比并不会影响YIG粉体的纯度，PH越大越利于YIG的合成，搅拌、超声波以及PEG能减小团聚现象，750oC下煅烧7小时能得到颗粒最小，比表面积最大，活性最高的YIG粉体。最后经过压制，1350oC下烧结得到优质的YIG靶材，通过VSM、SEM、EDS分析得到YIG靶材致密性好，Ms与理论值接近，没有任何杂质。对于固相法制备YIG靶材，在950oC下预烧，1350oC下烧结得到的靶材相比于共沉淀法虽然含有不足5%的杂相、颗粒略大、Ms略小、纯度略差等，但具有操作简单易行，利于环保，且可大批量生产等优点。所以通过综合考虑，决定采用固相法制备的靶材。（2）在Si表面制备YIG薄膜，得到氧压为4Pa，基片温度为750oC，退火温度为750oC，缓冲层采用CeO2/YSZ以及三层（YAG/YAIG/YIG）low-temperature复合缓冲层的条件下制备薄膜共振线宽最小（7Oe）、饱和磁化强度最接近理论磁性（139emu/cm3）、表面粗糙度最小、结晶性最好、结晶颗粒最为均匀、最大无裂纹厚度最大等特性。（3）在GGG（444）表面制备YIG薄膜，得到当氧压较小时，薄膜难以结晶，当氧压达到1Pa时，YIG薄膜呈现单晶形式，当氧压达到甚至超过4Pa后，薄膜呈现高度取向的多晶薄膜。（4）利用HFSS对微带薄膜环形器仿真中，得到通过提高薄膜与衬底的厚度比可以显著的提高带宽。