单层Zr S₂具有优越的电学性质,其具备较高的声子受限迁移上限（1200cm2/V·s）,是受到广泛研究的Mo S₂（340 cm2/V·s）的三倍。以及以Zr S₂为基底的场效应管（TFETs）具有较高的板电流密度（800μA/μm）,是Mo S₂的一百多倍。一直受到科学界广泛关注。然而目前仅仅有学者在六方氮化硼衬底上制备出尺寸为1-3μm的单层Zr S₂。本文就根据这一现状,采用化学气相沉积法,以Si O₂为衬底,来进行大尺寸单层Zr S₂的可控制备。本文核心为利用化学气相沉积法（CVD）,在传统的硅衬底上,可控制备大面积单层Zr S₂。并利用基于密度泛函理论的第一性原理计算得出单层Zr S₂的能带图与XRD图形,与实验所得的样品表征进行对比印证。主要研究内容如下:1、运用Material Studio 3D软件构建Zr S₂原胞并对其进行几何结构优化,将优化后晶格常数分别为a=3.69092?,b=3.69092?的单层Zr S₂经过杂化泛函计算,得出单层Zr S₂的能带图,带隙为1.4e V,从推算出的XRD图形中,观察到衍射峰分别出现在2θ为15.1°（001）、28.0°（100）、32.5°（101）、42.5°（102）、50.0°（110）等处,实验得到的单层Zr S₂表征结果对比印证基本一致,并与Zr S₂标准的卡PDF#11-0679对比位置相吻合。2、利用CVD法在首次在Si O₂衬底上制备了尺寸为20μm的单层Zr S₂,远远大于其他学者在BN衬底上制备的单层Zr S₂的尺寸。首次提出锆源与衬底分温区放置的制备方法,并严格采用控制变量法,通过改变衬底种类、反应温度、载气流速、反应时间、反应源种类与反应源用量的不同,探究出可控制备大尺寸、高质量Zr S₂的最佳条件,并对其进行表征验证。