氮化铝（AlN）陶瓷具有高热导率、高绝缘性、低介电常数和介电损耗等优异的综合性能，是极具应用前景的微波透波材料。六方氮化硼（h-BN）陶瓷具有优异的介电性能、良好的机械加工性能、良好的抗热震性能。因此，AlN和h-BN材料的复合可获得介电、热导和力学性能等综合性能优异的介电复合材料。本论文围绕着AlN-BN复合材料的介电和热导性能的改善，以氮化铝（AlN）和氮化硼（h-BN）为原料，采用热压法（HP）及放电等离子烧结（SPS）两种方法制备AlN-BN复合陶瓷材料。研究了CaF₂、Y₂O₃、CaF₂-Y₂O₃不同烧结助剂体系及含量、烧结温度、保温时间、原料配比条件下的AlN-BN复合材料的烧结过程、烧结体微观结构和性能。以SPS制备AlN-BN复合材料的研究表明：烧结温度的升高促进了AlN-BN复合材料烧结体的致密化和晶粒的生长，增大了复合陶瓷的介电常数，降低了介电损耗。BN含量的增加降低了AlN-BN复合材料的致密度、介电常数和热导率，增加了介电损耗值，对改善介电性能不利。1700℃下烧结并保温5min，可制备出1MHz下的介电常数和损耗分别为：7.15和6.31×10^-4，热导率为58.1W·m^-11·K^-1的85wt.％AlN-15wt.％BN复合陶瓷。添加CaF₂和Y₂O₃助剂促进了复合材料的致密化和热导率的增加，但恶化了材料的介电性能。添加4wt.％Y₂O₃在1800℃下可制备出热导率为90.1 W·m^-1·K^-1的85wt.％AlN-15wt.％BN复合陶瓷。添加3wt.％的CaF₂，1800℃烧结可制备出相对密度大于98.15％，热导率为78.7 W·m^-1·K^-1的85wt.％AlN-15wt.％BN复合陶瓷。采用热压方法制备AlN-BN复合材料的研究表明：随CaF₂含量的增加，复合材料的密度、热导率、介电常数增加，介电损耗降低。升高烧结温度促进了AlN-BN复合陶瓷的致密化和热导率的提高，降低了介电常数和损耗，对改善介电性能有利。添加3wt.％的CaF₂，烧结温度为1850℃，可制备出相对密度大于98.5％，1MHz下介电常数和损耗分别为：7.53、6.36×10^-4，热导率为110 W·m^-1·K^-1的85wt.％AlN-15wt.％BN复合陶瓷。Y₂O₃的添加增大了复合材料的热导率，但对介电性能不利。CaF₂-Y₂O₃复合助烧剂中Y₂O₃含量的增加，促进了AlN-BN复合材料的密度、热导率和介电常数增加，延长保温时间增加了复合材料的密度和热导率，降低了介电常数和损耗，改善了介电性能。BN含量的增加降低了复合材料的密度和热导率，但介电损耗明显增加，不利于材料介电性能的改善。添加3wt.％CaF₂-3wt.％Y₂O₃复合烧结助剂，1850℃热压烧结并保温3h，可制备出1MHz下介电常数和损耗分别为：7.66、7.31×10^-4，热导率为132.7 W·m^-1·K^-1的85wt.％A1N-15wt.％BN复合陶瓷。通过对试样的XRD、TG／DSC、SEM、TEM／EDX分析，研究了不同助剂的作用机理。烧结过程中引入CaF₂形成的液相促进了试样的致密化，并在烧结后期及保温过程中分解挥发，净化试样晶界。单独添加Y₂O₃，烧结过程中形成的Y-Al-O化合物在冷却后以第二相的形式沉积于试样的晶界。复合助剂CaF₂-Y₂O₃会在烧结过程中形成Y-Ca-Al-O-N的液相促进烧结致密化和净化AlN晶格，在烧结后期及保温阶段Y-Ca-Al-O化合物分解挥发，其中的Ca和Y元素挥发明显，试样晶界得到净化，优化了AlN-BN复合材料的介电、热导及其综合性能。