纳米技术发展的最终的目的是加工出特定功能的纳米器件。本文结合光刻工艺、磁控溅射技术和AFM阳极氧化方法加工了超高速光电导开关和隧道结结构,并对它们进行了系统的研究和分析,主要研究内容如下:1.从理论和实验两方面分析AFM阳极氧化加工的影响因素,得到在8V直流偏压下,扫描速度为0.1μm/s,相对湿度为30%～50%时氧化线的连续性、均匀性、纵向特性比较好,并通过加工点阵列和线阵列得到此条件下氧化加工的重复性都小于1%,还通过理论计算验证了选择扫描速度为0.1μm/s正确性;2.在理论上,提出了一种超快线性光电导开关等效电路模型,并根据该模型,利用MATLAB模拟了光电导开关的时域和频域输出特性,发现了一种特殊现象,并进行了解释,得到光电导开关的输出最大半宽在10fs左右,频带宽度为5.5THZ,论证了利用线性超高速光电导开关产生THz辐射的可能性,分析了不同间隙宽度对频带宽度的影响;3.开展了新型光电导开关的结构设计和加工的研究,设计并制作了形成光电导开关传输线和电极结构的三块光刻版;采用低温生长的GaAs材料作为超高速光电导开关的衬底,选择共面带状线结构作为光电导开关的传输线,利用AFM阳极氧化加工方法在超薄钛膜上加工的氧化钛线作为超高速光电导开关的功能结构,从而设计了新型的光电导开关的整体结构;4.利用AFM针尖诱导阳极氧化加工纳米级Ti膜,形成针尖-氧化物-半导体MOS隧道结和Ti-TiOx-Ti MIM隧道结,并对他们进行了理论和实验的研究,同时还研究了双隧道结、三隧道结多次隧穿现象。